检测范围：

光电二极管等。

检测项目：

正向电压、暗电流、反向击穿电压、结电容、阵列串扰、反向击穿电压温度系数、响应度、内响应度非均匀性、间响应度非均匀性、发射极击穿电压、饱和压降、上升和下降时间、电流等。

依据检测标准

YD/T 835-1996 雪崩光电二极管检测方法

SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管检测方法

GB/T 23729-2009 闪烁探测器用光电二极管.试验方法

SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范

SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管检测方法

GB/T 21194-2007 通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求

YD/T 2342-2011 通信用光电子器件可靠性试验方法

GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件

JB/T 5186-1991 照相机用硅光电二极管

SJ 2354.3-1983 PIN、雪崩光电二极管暗电流的检测方法

检测流程步骤

温馨提示：以上内容仅供参考使用，更多检测需求请咨询客服。